Задача проекта – вывести на рынок разработанную в Сибирском физико-техническом институте ТГУ технологию по созданию инновационного сенсорного материала – арсенид-галлиевых структур.
Как стало известно редакции портала tomsk.ru, потенциальным партнером данного проекта может стать Samsung inc., специалисты данной компании, в ходе визита в Томск, высоко оценили имеющиеся разработки и перспективы по созданию малодозных детекторов нового поколения для маммографии, дентальной томографии.
В настоящее время Samsung Inc. и ООО «Арсенид галлиевые сенсоры» проводят совместную работу по заключению двустороннего соглашения о партнерстве и формируют техническое задание на создание цифрового детектора нового поколения с использованием сенсорных структур арсенида галлия, произведенных в Томске.
На первом этапе реализации данного проекта Томский НЦ Роснано выступит в качестве посевного инвестора, профинансировав выпуск пилотной партии продукции на базе существующего оборудования и проведение промышленных испытаний совместно с Samsung inc.
Результатом работы по данному проекту станет организация производства и вывод на мировой рынок уникальной продукции в области цифровой радиографии.
Как говорится в официальном источнике, проблемой в разработке цифровых полупроводниковых сенсоров становится то, что самый популярный материал – кремний имеет низкую чувствительность к рентгеновскому излучению и радиационной стойкости, теряет и размывает сигнал. Полуизолирующий арсенид галлия решает эту проблему и способен работать при комнатных температурах и обладает на порядок большими значениями коэффициентов поглощения рентгеновского излучения, чем кремний.
Прогресс за последние десять лет в создании детекторного материала связан с работами томской научной школы под руководством профессора ТГУ Олега Толбанова. В рамках работ был создан компенсированный хромом полуизолирующий арсенид галлия (SI-GaAs:Cr) с высоким временем жизни электронов.
