Nokia Siemens Networks и томское ЗАО «НПФ «Микран» (резидент Томской ОЭЗ) в понедельник подписали соглашение о распределении акций в совместно создаваемом ООО «Центр беспроводных технологий», которое займется производством базовых станций для сетей мобильной связи четвертого поколения (4G) по технологии Long Term Evolution (LTE).
«Соглашение позволит привлечь лучших экспертов в отрасли, а также удовлетворить спрос на оборудование для сетей 4G», — сообщили «Интерфаксу» в пресс-службе «Микрана».
Сотрудник пресс-службы отметил, что соглашение предусматривает передачу со стороны Nokia Siemens данных, необходимых для организации серийного производства. Так, специалисты «Микрана» будут использовать технологии, ноу-хау и оборудование Nokia Siemens для производства станций для сетей 4G стандарта LTE, включая системные модули, радиомодули и узлы для сетей LTE.
Стороны также договорились о том, что серийное производство станций будет запущено в IV квартале 2011 года.
Как сообщалось ранее, в марте Nokia Siemens Networks, ОАО «Роснано», «Микран» и администрация Томской области подписали соглашение о намерении запустить производство базовых станций LTE. Предполагается, что производство 10 тыс. станций в год будет достигнуто в 2012 году. В дальнейшем объемы производства будут увеличены до 100 тыс. станций в год.
Стоимость создания производства в Томске не раскрывалась, однако генеральный директор Nokia Siemens Networks в России Кристина Тихонова отмечала, что подобный проект в Западной Европе обходится в $50 млн.
Также сообщалось, что в начале сентября «Микран» самостоятельно приступил к производству базовых станций 4G. Как пояснили «Интерфаксу» в пресс-службе «Микрана», теперь, после подписания соглашения с Nokia, выпуск этого оборудования будет осуществлять совместное ООО.
Скорость передачи данных по технологии LTE достигает 326 Мб/с на прием и 172 Мб/с на отдачу. Радиус действия базовой станции может достигать 30 км.
НПФ «Микран» специализируется на разработке и производстве телекоммуникационной аппаратуры, производстве модулей и узлов СВЧ-диапазона, производстве контрольно-измерительных приборов СВЧ-диапазона и аксессуаров СВЧ-тракта, производстве монолитных интегральных GaAs функциональных элементов сантиметрового и миллиметрового диапазона, производстве радиолокационного оборудования.
Томская ОЭЗ технико-внедренческого типа создана в Томске в декабре 2005 года и специализируется на трех направлениях: IT и электроника, медицина и биотехнологии, новые материалы и нанотехнологии. Томская ОЭЗ состоит из двух площадок — Северной и Южной — общей площадью около 300 га.
